氮化镓 (GaN) 功率级
利用我们各种功率级别的 GaN 功率器件产品系列更大限度地提高功率密度和效率
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我们的氮化镓 (GaN) FET 系列具有集成的栅极驱动器和 GaN 功率器件，可提供具有整个生命周期的可靠性和成本优势的高效 GaN 解决方案。GaN 晶体管的开关速度比硅 MOSFET 快得多，因此可以实现更低的开关损耗。我们的 GaN 功率级可用于广泛的应用，包括电信、服务器、电机驱动器和笔记本电脑适配器以及电动汽车的车载充电器。
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LMG3427R050
NEW
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3427R050
正在供货
具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 50mΩ GaN FET
价格约为 (USD) 1ku | 6.75
TPS7H6101-SEP
NEW
氮化镓 (GaN) 功率级
TPS7H6101-SEP
预发布
具有集成驱动器的抗辐射 200V 10A GaN 功率级
LMG3527R030
NEW
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3527R030
正在供货
具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET
价格约为 (USD) 1ku | 12.54
LMG2652
NEW
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG2652
正在供货
具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V、140mΩ GaN 半桥
价格约为 (USD) 1ku | 4.99
LMG3650R025
NEW
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3650R025
预发布
具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 25mΩ TOLL 封装 GaN FET
价格约为 (USD) 1ku | 7.37
LMG3100R017
NEW
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3100R017
正在供货
具有集成驱动器的 100V 1.7mΩ GaN FET
价格约为 (USD) 1ku | 4.9
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TI GaN 技术优势
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开关速度比分立式 GaN FET 更快
我们具有集成驱动器的 GaN FET 可实现 150V/ns 的开关速度。这些开关速度与低电感封装相结合，可降低损耗、提供干净的开关功能并更大限度地减少振铃。
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磁性元件更小、功率密度更高
我们的 GaN 器件具有更快的开关速度，可帮助您实现超过 500kHz 的开关频率，从而将磁性元件尺寸缩减高达 60%、提升性能并降低系统成本。
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专为可靠性而构建
我们的 GaN 器件采用专有的硅基 GaN 工艺且已经过超过 8,000 万小时的可靠性测试，并结合了保护功能，旨在确保高电压系统的安全。
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专用设计工具和资源
借助我们的 GaN 设计资源缩短产品面市时间，这些资源包括功率损耗计算器、用于电路仿真的 PLECS 模型以及用于在更大系统中进行测试和运行的评估板。
为何选择 GaN
了解 GaN 技术
与传统的仅基于硅的解决方案相比，GaN 提供了更高的功率密度、更可靠的运行和更高的效率。请访问我们的技术页面，了解有关 GaN 作为功率晶体管技术的更多信息，探索特色 GaN 应用，聆听客户的反馈，亲身了解我们的 GaN 产品如何帮助您更大限度地减小下一次电源设计的重量、尺寸并降低成本。
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了解详情
可协助您进行设计的工具和资源
我们提供大量资源来协助您进行设计，并帮助您选择适合您应用的器件。我们的功率损耗计算工具可按用户指定的参数显示所选器件的功率损耗，帮助您进行产品选择。借助我们的 PLECS 模型，您可以模拟 GaN 器件的运行，从而估算 FET 结温，并在开通期间实现可调的压摆率。我们的半桥评估子卡还可用于在更大系统中进行测试和运行。
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下载所有 PLECS 型号
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将 GaN 器件与 PLECS 模型进行比较
技术资源
应用手册
应用手册
适用于 600V GaN 功率级的 QFN12x12 封装的热性能 (Rev. A)
热管理可以决定大功率设计的成败。我们的 QFN 12 x 12 封装专为在各种应用中实现出色性能而设计。了解有关该封装的更多信息，并阅读有关如何优化热设计的提示。
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白皮书
白皮书
GaN 器件的直接驱动配置 (Rev. A)
我们的 dMode GaN 器件系列无需共源共栅即可实现常关操作。详细了解直接驱动架构及其优势。
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应用手册
应用手册
Third quadrant operation of GaN
详细了解 GaN 的第三象限操作以及如何更大限度地减少死区时间损耗。
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设计和开发资源
参考设计
基于 GaN 的 11kW 双向三相 ANPC 参考设计
此参考设计提供了用于实现基于氮化镓 (GaN) 的三级三相 ANPC 逆变器功率级设计模板。使用快速开关型功率器件可实现 100kHz 的更高开关频率，不仅减小了滤波器磁性元件的尺寸，还提高了功率级的功率密度。多级拓扑允许在高达 1000V 的较高直流母线电压下使用额定电压为 600V 的功率器件。较低的开关电压应力可降低开关损耗，从而使峰值效率达到 98.5%。
参考设计
采用 C2000 和 GaN 的 4kW 单相图腾柱 PFC 参考设计
此参考设计是一款 4kW CCM 图腾柱 PFC，采用 F280049/F280025 控制卡和 LMG342x EVM 电路板。此设计展示了一个强大的 PFC 解决方案，它通过将控制器接地置于 MOSFET 桥臂的中间来避免隔离式电流感应。得益于非隔离特性，可以通过高速放大器 OPA607 来实现交流电流感应，从而帮助实现可靠的过电流保护。在此设计中，效率、热感图像、交流压降、雷电浪涌和 EMI CE 均进行了充分的验证。该参考设计具有完整的测试数据，显示了图腾柱 PFC 通过 C2000 和 GaN 具有更高的成熟度，并且是高效产品 PFC 级设计的良好研究平台。
参考设计
基于 GaN 的 6.6kW 双向车载充电器参考设计
PMP22650 参考设计是一款 6.6kW 的双向车载充电器。该设计采用两相图腾柱 PFC 和带有同步整流功能的全桥 CLLLC 转换器。CLLLC 采用频率和相位调制在所需的调节范围内调节输出。该设计采用 TMS320F28388D 微控制器内的单个处理内核来控制 PFC 和 CLLLC。使用配有 Rogowski 线圈电流传感器的相同微控制器来实现同步整流。通过高速 GaN 开关 (LMG3522) 实现高密度。PFC 的工作频率为 120kHz，而 CLLLC 在 200kHz 至 800kHz 的可变频率范围内运行。峰值系统效率为 96.5%，该数值在 3.8kW/L (...)
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